1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低; ◆開關速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通態壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導通損耗小; ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗小; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆關速度快,關損耗小 ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗小; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
宏微科技榮獲“蘇南國家自主創新示… 近日,2019江蘇省“蘇南國家自主創新示范區瞪羚企業”評選結果正… 2019-12-13 了解更多
江蘇省委常委、統戰部部長楊岳一行… 8月7日上午,江蘇省委常委、統戰部部長楊岳一行蒞臨宏微科技調研… 2019-08-07 了解更多
常州市市委書記汪泉蒞臨宏微科技調… 2月16日上午,常州市市委書記汪泉帶隊來我司調研指導工作,市委常… 2019-02-16 了解更多